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型号 PSMN040-200W,127
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
PSMN040-200W,127 PDF
代理商 PSMN040-200W,127
标准包装 1,000
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 183nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 9530pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
其它名称 934055781127
PSMN040-200W
PSMN040-200W-ND
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